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深圳市烜芯微科技有限公司
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怕電流倒灌燒板子,為什么要選NMOS+PMOS組合
2026-08-08
電池供電設(shè)備必備 NMOS+PMOS 高邊負(fù)載開關(guān)，完美解決漏電、倒灌、驅(qū)動難題做便攜電源、鋰電池整機(jī)開發(fā)的工程師大多踩過電源控制故障：外
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MOS管100V耐壓,為什么區(qū)區(qū)20多V卻能把它直接擊穿
2026-08-07
MOS管100V耐壓,為什么區(qū)區(qū)20多V卻能把它直接擊穿真正危險(xiǎn)的，可能不是漏極電流，而是被忽略的柵源電壓VGS！電源剛接通，負(fù)載電流沒有超標(biāo)，
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過流短路總燒毀MOS？吃透分立打嗝式自恢復(fù)保護(hù)電路
2026-08-06
過流短路總燒毀MOS？吃透分立打嗝式自恢復(fù)保護(hù)電路調(diào)試電源電路時(shí)很多硬件工程師都遇見過災(zāi)難性故障：負(fù)載短路瞬間功率 MOS 直接擊穿燒毀
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PWM明明是方波,為什么非要先搞個(gè)“三角波”出來
2026-08-05
PWM明明是方波,為什么非要先搞個(gè)三角波出來現(xiàn)在絕大多數(shù)電子開發(fā)遇到 PWM 輸出需求，第一思路都是選用單片機(jī)搭配定時(shí)器外設(shè)，調(diào)用現(xiàn)成庫
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大容性負(fù)載關(guān)斷頻繁燒管？根源在于柵極電荷泄放設(shè)計(jì)缺失
2026-08-04
大容性負(fù)載關(guān)斷頻繁燒管？根源在于柵極電荷泄放設(shè)計(jì)缺失不少硬件研發(fā)人員，不管是剛?cè)胄行氯诉€是有多年調(diào)試經(jīng)驗(yàn)的工程師，在帶大容量電容負(fù)
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測個(gè)微小電流為什么非要給運(yùn)放接個(gè)-5V的負(fù)壓？
2026-08-03
測個(gè)微小電流為什么非要給運(yùn)放接個(gè)-5V的負(fù)壓？做電機(jī)驅(qū)動、電源管控類電路時(shí)，絕大多數(shù)新人測量電流都會想到最簡單的方案：在回路串聯(lián)采樣
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為什么寧加自舉電容也不要用低邊NMOS切斷地線？
2026-08-01
為什么寧加自舉電容也不要用低邊NMOS切斷地線？剛接觸開關(guān)電源、半橋、全橋、反激拓?fù)涞墓こ處煻紩W(xué)到一個(gè)關(guān)鍵知識點(diǎn)：高側(cè) NMOS 的柵極
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為什么不能省掉濾波電容后面的那顆接地電阻
2026-07-31
為什么不能省掉濾波電容后面的那顆接地電阻不少硬件新人照著教科書畫 RC 高通濾波電路，仿真波形完美順滑，可一旦投板實(shí)測，輸出要么恒定
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單片機(jī)僅輸出5V方波,為什么能擊穿20V耐壓MOS管
2026-07-30
單片機(jī)僅輸出 5V 方波，為何能擊穿 20V 耐壓 MOS？柵極振鈴隱藏的毀管陷阱不少工程師調(diào)試電路都會遇到詭異故障：MOS 管毫無規(guī)律地?zé)?
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全橋拓?fù)?移相全橋與LLC諧振全橋核心差異解析
2026-07-29
全橋拓?fù)?移相全橋與LLC諧振全橋核心差異解析不少硬件工程師都會踩同一個(gè)設(shè)計(jì)誤區(qū)：四管全橋架構(gòu)下的移相拓?fù)洹LC 諧振拓?fù)渫庥^高度相似
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三極管與MOS管都叫飽和區(qū)為什么一個(gè)要進(jìn)去一個(gè)卻要躲開
2026-07-28
三極管與MOS管都叫飽和區(qū)為什么一個(gè)要進(jìn)去一個(gè)卻要躲開同樣一個(gè) 飽和區(qū) 術(shù)語，卻經(jīng)常讓硬件新手踩大坑，輕則功率管持續(xù)發(fā)熱、整機(jī)效率暴
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一文徹底了解米勒平臺究竟是怎么來的
2026-07-27
一文徹底了解米勒平臺究竟是怎么來的很多硬件工程師第一次觀測SiC MOS管開關(guān)波形時(shí)，都會產(chǎn)生一個(gè)疑惑：柵極驅(qū)動電壓明明還在持續(xù)抬升，為